Создана сверхбыстрая память

Группа американских ученых объявила о создании нового типа модулей памяти

11 декабря 2006, 16:57

Группа американских ученых, в число которых вошли специалисты из IBM, Macronix и Qimonda, объявила о создании нового типа модулей памяти. Благодаря этой разработке, получившей название PRAM (память с изменением фазы), продолжительность и скорость работы плееров, мобильных телефонов и цифровых камер существенно возрастет, сообщает AFP.

Как заявляют изобретатели, скорость работы созданных в IBM, Macronix и Qimonda модулей PRAM превосходит аналогичный показатель флэш-памяти (наиболее распространенный тип памяти, используемый при создании мобильников, плееров и т.п.) в 500 – 1000 раз. При этом по уровню энергопотребления PRAM существенно экономичнее флэш – новое изобретение потребляет в два раза меньше электроэнергии.

По сведениям издания Techworld, в продаже подобные модули памяти появятся не раньше 2008 года. Стоит отметить, что подобными разработками занимаются и другие компании, например, корейская Samsung, специалистам которой удалось создать прототип PRAM, работающий со скоростью, в 30 раз превышающей аналогичный показатель флэш-памяти.

 

По материалам www.lenta.ru .

Подписывайся на наш Facebook и будь в курсе всех самых интересных и актуальных новостей!

Читай также


Комментарии

символов 999

Новости партнёров

Loading...